据IT之家6月18日报道，援引《韩国经济日报》的消息，三星电子预计将在今年内推出一项名为SAINT-D的全新三维封装技术。这项技术能够实现HBM内存与处理器芯片的垂直集成，有望对人工智能半导体领域产生深远影响。
三星电子的SAINT-D技术是一种先进的三维集成电路（3DIC）封装技术。它通过在处理器和HBM内存芯片之间引入硅中介层来实现两者的直接连接。目前，该技术正处于概念验证阶段，并已在今年举行的三星代工论坛2024北美场上进行了展示。
报道指出，现有的2.5D封装技术导致HBM内存与处理器之间存在物理距离，这增加了传输延迟，影响了电信号质量，并提高了数据传输的功耗。SAINT-D技术的应用将显著缩短这一距离，从而有助于AI加速器芯片更有效地释放性能。
对三星电子而言，SAINT-D技术的推出不仅标志着其在高端封装技术领域的突破，也将促进公司从先进节点制造、HBM内存生产到整体封装集成的一站式服务。这种全流程解决方案有望为三星带来更多业务增长。
市场研究机构MGI预测，包括SAINT-D在内的先进封装市场规模将在未来的几年内显著增长，从2023年的345亿美元增加到800亿美元。
三星电子的这一创新技术SAINT-D不仅有望改变AI半导体领域的竞争格局，同时也预示着三维封装技术在未来半导体产业发展中将扮演更加关键的角色。
