1月6日消息 根据数码博主i冰宇宙的爆料，UFS 3.0闪存的AndroBench跑分现已曝光，顺序读取速度达到了2279.9MB/s，顺序写入速度达到了1801.1MB/s，达到了目前优质NVMe固态的速度。
据i冰宇宙所说，这是一块1TB版本的UFS 3.0闪存，读取速度达到了2279.9MB/s，顺序写入速度达到了1801.1MB/s，随机读取146.4MB/s，随机写入137.5MB/s。
据悉，2017年JEDEC固态技术协会推出了新的UFS3.0标准，相较上代的UFS2.1不仅带宽更高，电压也相较UFS 2.1更低，可降低设备功耗与发热。UFS 3.0标准单通道上可达到11.6 Gbps，是UFS 2.1标准的两倍，而双通道设计可以最高达到23.2 Gbps的传输带宽，UFS 3.0的工作电压为2.5V，相较上一代2.7V到3.6V更低。
在去年举办的4G/5G峰会上，三星透露将在2019年上半年推出UFS 3.0商用产品，2020年将商用LPDDR5内存。
