根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)以及TLC(三层存储单元),此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
SLC写入数据时电压变化区间小,寿命长,读写次数在10万次以上;
MLC寿命长,造价可接受,读写次数在5000左右;
TLC,是MLC闪存延伸,存储密度最高,容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低, 使命寿命低,读写次数在1000~2000左右,是当下主流厂商首选闪存颗粒。
3D NAND(多层数存储),是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。目前64层3D NAND已经问世,价格较高。
具体品牌参照以上的闪存颗粒类型,相互对比后选性价比吧。