3月14日消息 根据外媒的报道，西数正在开发自己的LLF低延迟闪存，与传统的3D NAND相比，它将提供更高的性能和耐用性，最终用于与英特尔的傲腾存储竞争。
在本周的活动上，西数谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术旨在实现3D NAND和DRAM之间的性能。LLF闪存将具有微秒级的延迟，采用SLC或者MLC颗粒。
西数表示，LLF闪存的成本比DRAM低10倍，但是按照每GB价格计算，3D内存的成本仍是3D NAND的20倍，因此它只能用于针对数据中心或高端工作站，类似于现在的英特尔Optane和三星Z-NAND。
