2019年01月30日 稿源：cnBeta
近年来，随着智能手机的迅猛发展，消费者对于存储容量的需求也变得越来越高。好消息是，今日，三星在其官网上宣布了业界首款容量高达 1TB 的“嵌入式通用闪存存储器”（eUFS）。其基于第五代 V-NAND 技术打造，容量是 64GB 版本的 20 倍，速度是典型 microSD 存储卡的 10 倍，特别适合数据密集型应用。
作为全球技术领先的存储器制造商，三星电子将从即日起量产业界首款 1TB 嵌入式通用闪存（eUFS 2.1），能够为下一代移动应用带来更优秀的使用体验。
三星在四年前推出了业界首个 128GB 的 eUFS 解决方案，但现在已经将智能手机领域的存储标杆推向了 TB 级别，速度与容量媲美高级笔记本电脑。
三星电子内存营销执行副总裁 Cheol Choi 表示：“预计 1TB eUFS 将在推动下一代移动设备的发展上起到关键的作用”。
更重要的是，三星致力于保障供应链和产能的稳定可靠，及时支持推出即将推出的新款期间智能机，以加速全球移动市场的增长。
在相同的封装尺寸（11.5×13.0 m㎡）内，1TB eUFS 较先前的 512GB 版本容量提升了一倍、堆叠了 16 层三星最先进的512Gb V-NAND 闪存和新开发的专属控制器。
有了 1TB 的容量，智能手机现在录制 260 段时长 10 分钟的 4K UHD（3840×2160）视频。相比之下，64GB eUFS 机型只能够存储大约 13 段同类视频。
1TB eUFS 还具有出色的速度，允许用户在极短的时间内传输大量多媒体内容 —— 高达 1000 MB/s。
作为对比，传统 2.5 英寸 SATA 固态硬盘（SSD）的连续读取速度，只有 1TB eUFS 的一半左右。
这意味着，我们可以在 5 秒的时间内，将 5GB 大小的全高清视频从 NVMe SSD 中拷出 —— 这是典型的 microSD 存储卡的 10 倍速度。
此外，1TB eUFS 的随机读取速度，也较 512GB 版本的提高了 38％（最高可达 58k IOPS）。随机写入比高性能 microSD 卡（100 IOPS）快 500倍，最高可达 50k IOPS 。
三星计划于 2019 上半年，在韩国 Pyeongtaek 工厂扩大第五代 512Gb V-NAND 的产量，以满足全球移动设备制造商对 1TB eUFS 的强劲需求。
