三星电子为了巩固存储器霸业，制定 DRAM 发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15 纳米可能是 DRAM 制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。韩媒 etnews 18 日报导，业界消息称，三星去年开始量产 18 纳米 DRAM，目前正研发 17 纳米 DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。
与此同时，三星也成立 16 纳米 DRAM 开发小组，目标最快 2020 年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020 年量产时间可能延后。
三星从 20 纳米制程（28→25→20），转进 10 纳米制程（18→17），缩小线宽（Line－width）的速度明显放缓。三星尚未成立 15 纳米制程以下的研发团队，因为由此开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。
三星设备解决方案部门的半导体实验室人员 Jung Eun－seung 说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。业界人士估计，15 纳米或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。
