主题 : DDR3内存与GDDR3显存的区别
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0 DDR3内存与GDDR3显存的区别

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DDR3内存与GDDR3显存的区别
      很多人谈论到DDR3内存时,总会把GDDR3显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。

      一、GDDR2显存的换代产品GDDR3

      GDDR3是GDDR2显存的换代产品,主要区别就是前者有着更高的工作频率。当然GDDR3和GDDR2相比还有其他一些不同的地方,GDDR3采用的是单端设计,并没有分开数据输入和写出通道。此外,GDDR3采用了基于电压的“伪开漏”界面技术(pseudo-open drain)。和GDDR2一样,GDDR3采用了1.8V电压标准。

      GDDR3显存具备目前业界最高的显存工作频率,而耗能却很低。同时,配备GDDR 3需要的配件更少,约束条件也更低。综合这些优点,NVIDIA的合作商们在启用GDDR3后,将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。

      二、DDR2内存的换代产品DDR3

      DDR3相比起DDR2有更高的工作电压,从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3 目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从 1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。相对于DDR2内存的4bit预取机制,DDR3 内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz,当 DRAM内核工作频率为200MHz时,接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时,将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品,初步估计届时将会出现DDR3-2000甚至2400的高速内存。除了预取机制的改进,DDR3内存还采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。此外,DDR3内存将采用100nm以下的生产工艺,并将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。

      在性能方面,DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt),对比现有DDR2-800产品,DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不单内存带宽大幅提升,功耗表现也好了很多。
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